Здравствуйте, уважаемые читатели блога Help начинающему пользователю компьютера. Сегодня я предлагаю Вашему вниманию третью статью об опциях БИОС, с помощью которых можно выполнять настройку работы оперативной памяти.
DRAM Page Idle Timer
Опция DRAM Page Idle Timer позволяет установить время в тактах системной шины, по истечении которого будет произведено закрытие всех открытых страниц памяти при отсутствии обращений к ним.
Значения опции:
1T; 2Т; 4Т; 8Т; 16Т; 32Т; 64Т; — закрытие всех открытых страниц памяти будет выполнено после ожидания истечения времени в 1 (и, соответственно, 2, 4, 8, 16, 32, 64) системный такт.
Infinity – оставлять станицы открытыми максимально возможное время.
Опция также может иметь другие названия:
Paging Delay
DRAM Idle Timer
SDRAM Idle Timer
DRAM PH Limit
Опция DRAM PH Limit определяет количество обращений к одной странице памяти перед ее обязательным закрытием.
Значения опции:
1 Cycle; 4 Cycle; 8 Cycle; 16 Cycle; – количество обращений к одной странице памяти перед ее обязательным закрытием (1, 4, 6, 16, соответственно).
Опция также может иметь другие названия:
SDRAM PH Limit
DRAM R/W Leadoff Timing
С помощью DRAM R/W Leadoff Timing опции можно установить время постоянного доступа (в тактах системной шины) к оперативной памяти, т.е., опция определяет время для выполнения любых операций с оперативной памятью (чтение/запись).
Значения опции:
Auto – автоматическое определение времени доступа;
8/7 – оперативная память будет доступна восемь тактов для чтения и семь тактов для записи данных;
7/5…;
50 ns – время доступа равно 50 нс;
60 ns – время доступа равно 60 нс;
70 ns – время доступа равно 70 нс.
Опция также может иметь другие названия:
DRAM Speed Selection
DRAM Timing
DRAM RAS# Activate to Precharge
Опция DRAM RAS# Activate to Precharge определяет количество тактов между обращением к памяти и началом регенерации. Снижение значения опции повышает быстродействие.
Значения опции:
Auto (или By SPD) – автоматическое определение количества тактов, исходя из информации о режимах работы ОЗУ из микросхемы SPD;
9 DRAM Clocks; 10 DRAM Clocks; 11 DRAM Clocks; 12 DRAM Clocks; 13 DRAM Clocks; 14 DRAM Clocks; 15 DRAM Clocks; – количество тактов между обращением к памяти и началом регенерации.
Опция также может иметь другие названия:
(Tras) Minimum RAS active Time
Act to Precharge Delay
Active to Precharge (Tras)
Active to Precharge Delay
DRAM Precharge Delay
DRAM RAS# Activate to Precharge Delay
DRAM Timing tRAS
DRAM tRAS Select
DRAM Tras Timing Value
Min RAS# Active Time
Min RAS# Active Time (Tras)
Precharge Delay
Precharge Delay (tRAS)
RAM RAS Act. to Pre.
RAS Pulse Width
SDRAM Active to Precharge Time
SDRAM RAS Act. To Pre.
SDRAM Tras Timing Value
T (RAS)
TRAS
tRAS
DRAM RAS# Only Refresh
Опция DRAM RAS# Only Refresh позволяет включить метод CAS-before-RAS регенерации оперативной памяти.
Значения опции:
Enabled – использовать метод CAS-before-RAS регенерации оперативной памяти;
Disabled – не использовать метод CAS-before-RAS регенерации оперативной памяти.
DRAM RAS# to CAS# Delay
Опция DRAM RAS# to CAS# Delay задает время задержки между сигналами RAS и CAS при обращении к памяти. Уменьшение задержки увеличивает производительность памяти, но повышается риск нестабильной работы.
Значения опции:
Auto (или By SPD) – автоматическое определение времени задержки, исходя из информации о режимах работы ОЗУ из микросхемы SPD;
3 DRAM Clocks; 4 DRAM Clocks; 5 DRAM Clocks; 6 DRAM Clocks – время задержки в тактах системной шины.
Опция также может иметь другие названия:
(Trcd) RAS to CAS R/W Delay
Active to CMD (Trcd)
DRAM RAS# to CAS# Delay
DRAM RAS-to-CAS Delay
DRAM RAS To CAS Delay
DRAM Timing tRCD
DRAM tRCD Select
DRAM Trcd Timing Value
Fast RAS-to-CAS Delay
Fast RAS To CAS Delay
Fast RAS# to CAS# Delay
RAM RAS# to CAS# Delay
RAS to Active Time (tRCD)
RAS to CAS Delay
RAS to CAS Delay (tRCD)
RAS# to CAS# Delay
RAS# to CAS# Delay (Trcd)
SDRAM RAS To CAS Delay
SDRAM RAS# to CAS# delay
SDRAM RAS-to-CAS Delay
SDRAM Trcd Timing Value
T (RCD)
TRCD
tRCD
DRAM Read Latch Delay
С помощью опции DRAM Read Latch Delay можно установить задержку от момента появления данных в оперативной памяти до начала их чтения. Уменьшения задержки повышает быстродействие, но может отрицательно сказаться на стабильности работы оперативной памяти.
Значения опции:
Disabled – не использовать задержку;
0.5 ns – задержка равна 0,5 нс.;
1.0 ns – задержка равна 1 нс.;
1.5 ns – задержка равна 1,5 нс.
DRAM Read Thermal Mgmt
Опция DRAM Read Thermal Mgmt позволяет снизить тепловыделение модулей оперативной памяти.
Значения опции:
Enabled –использовать опцию. В случае использования данного значения может уменьшится производительность системы;
Disabled – отключить опцию.
Опция также может иметь другие названия:
DRAM Throttling Threshold
DRAM Refresh
С помощью опции DRAM Refresh можно установить период (в микросекундах) между регенерацией соседних строк модуля памяти.
Значения опции:
7.8 µs; 15.6 µs; 31.2 µs; 64 µs; – период между регенерацией соседних строк модуля памяти (7.8 микросекунд; 15.6 микросекунд; 31.2 микросекунд; 64 микросекунд; соответственно).
Опция также может иметь другие названия:
DDR Refresh Rate
Refresh Mode Select
Refresh period (Tref)
Refresh Rate
Refresh Rate Select
SDRAM Refresh Rate
tREF
DRAM Trc Timing Value
Опция DRAM Trc Timing Value устанавливает время (в тактах) полного цикла доступа к строке данных.
Значения опции:
Auto (или By SPD) – автоматическое определение времени полного цикла доступа к строке;
Значение количества тактов для выполнения полного цикла доступа к строке данных
Опция также может иметь другие названия:
(Trc) Row Cycle Time
DRAM Trc Timing Value
Row Cycle Time
SDRAM Trc Timing Value
T (RC)
TRC
tRC
DRAS RAS# Precharge Time
Опция DRAS RAS# Precharge Time задает время предварительного заряда RAS. Время указывается в тактах системной шины и показывает, сколько тактов должно пройти от момента формирования сигнала RAS до начала регенерации памяти. Снижение значения опции повышает быстродействие, но может негативно сказаться на стабильности системы.
Значения опции:
Auto – автоматическое времени предварительного заряда RAS;
3 DRAM Clocks; 4 DRAM Clocks; 5 DRAM Clocks; 6 DRAM Clocks…– ручная установка количества тактов, необходимых для предварительного заряда RAS.
Опция также может иметь другие названия:
(Trp) Row Precharge Time
BEDO RAS# Precharge
DRAM RAS# Precharge
DRAS RAS# Precharge Period
DRAM RAS# Precharge Time
DRAM Timing tRP
DRAM tRP Select
DRAM Trp Timing Value
EDO RAS# Precharge
EDO RAS# Precharge Time
FPM DRAM RAS# Precharge
Precharge Time (tRP)
Precharge to Active (Trp)
RAM RAS# Precharge
RAS# Precharge
RAS Precharge Time
RAS# Precharge Time
RAS# Precharge Period
Row Precharge Time
Row Precharge Time (Trp)
SDRAM RAS Precharge Time
SDRAM RAS# Precharge
SDRAM RAS# Precharge Time
SDRAM Trp Timing Value
T (RP)
TRP
tRP
